霍尼韋爾近日宣布推出一系列新型電子材料，利用這些材料，晶硅光伏電池制造商能夠通過使用先進高效的電池設(shè)計來提高電池的功率輸出。

　　這些新型材料包括大規(guī)模半導(dǎo)體制造中常用的電介質(zhì)和摻雜劑�；裟犴f爾電子材料部向半導(dǎo)體行業(yè)供應(yīng)電子材料已有超過40年的歷史，現(xiàn)在正在將這方面的專長應(yīng)用于光伏行業(yè)。

　　太陽能電池效率對于光伏制造商而言至關(guān)重要。效率提高意味著相同大小的電池板在接受相同太陽輻照量的情況下將提供更高的功率輸出。因此，電池效率是決定太陽能成本的關(guān)鍵決定因素。具體而言，有了這些新型摻雜劑和電介質(zhì)材料，制造商便能在光伏電池制造中應(yīng)用新的技術(shù)，使得生產(chǎn)每瓦電能的成本較當(dāng)前所用工藝大大降低。

　　摻雜劑是可以改變硅材料電學(xué)特性的配方化學(xué)品，能夠有選擇性地改變太陽能電池特定部分的電學(xué)特性。電介質(zhì)是可以用作絕緣體的配方化學(xué)品，能夠防止電流通過 PV 電池的某些區(qū)域。這些電介質(zhì)材料還具有其他優(yōu)點，例如，可以用作鈍化層以防止有害的復(fù)合效應(yīng)，或用作擴散阻擋層以防止摻雜劑擴散到某些不必要的區(qū)域，還可用作掩膜材料。

　　由于雜質(zhì)會降低光伏電池的質(zhì)量，霍尼韋爾在設(shè)計這些新材料時將雜質(zhì)的含量控制在了極低的水平上。可使用霍尼韋爾新型材料的晶硅電池結(jié)構(gòu)包括選擇性發(fā)射極、背部鈍化、點接觸和硼背場 (BSF) 電池。此外，霍尼韋爾的摻雜劑將使 n 型硅基材得到廣泛的應(yīng)用，代替當(dāng)前占主導(dǎo)地位的 p 型硅，從而消除 p 型硅光致退化效應(yīng)帶來的不良影響。有很多既經(jīng)濟又高產(chǎn)的方法可以將這些新材料應(yīng)用于硅晶圓，例如，絲網(wǎng)印刷和噴墨印刷，以及其他光伏和電子制造行業(yè)中已經(jīng)使用的相當(dāng)成熟的方法。

　　這些光伏制造新型材料的開發(fā)工作由霍尼韋爾位于加利福尼亞州桑尼維爾和中國上海的先進研發(fā)機構(gòu)完成。此外，霍尼韋爾與研究所、原始設(shè)備制造商 (OEM) 和全球光伏電池制造商密切合作，以確保這些材料與已大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)的設(shè)備兼容并且滿足整個光伏制程的工藝整合要求。

　　除了這些新型材料以外，霍尼韋爾電子材料部去年還推出了用于光電板產(chǎn)品的 SOLARC™ 防反射涂層，改進了光電板玻璃的透射率，從而提高光伏模塊的效率和功率輸出。